深圳市佰昇电子有限公司

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供应BUL216 晶体管 NPN TO-220

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BUL216 应用范围:达林顿 极性:NPN型 击穿电压VCBO:800(V) 集电极最大允许电流ICM:2(A) 集电极最大耗散功率PCM:90(W) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应ST BU508AF

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BU508AF 应用范围:达林顿 极性:NPN型 击穿电压VCBO:700(V) 集电极最大允许电流ICM:8(A) 集电极最大耗散功率PCM:50(W) 结构:平面型 封装形式:功率型 封装材料:玻璃封装

供应 晶体管极性: npn型 BUT11A

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BUT11A 应用范围:达林顿 极性:NPN型 击穿电压VCBO:450(V) 集电极最大允许电流ICM:5(A) 集电极最大耗散功率PCM:100(W) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

BU941ZP 晶体管 NPN

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BU941ZP 应用范围:达林顿 极性:NPN型 击穿电压VCBO:350(V) 集电极最大允许电流ICM:12(A) 集电极最大耗散功率PCM:155(W) 封装形式:直插型 封装材料:金属封装

ST 2N2905A 晶体管PNP TO-39 三极管

封装形式:TO39 型号/规格:2N2905A 品牌/商标:ST/意法 属性:属性值 应用范围:开关

ON 2N3773G 晶体管NPN TO-3 二极管

工作温度范围:-65°C 到 +200°C(℃) 型号/规格:2N3773G 批号:10+ 品牌/商标:ON/安森美 产品类型:功率二极管 针脚数:2 是否进口:是 封装:TO3 属性:属性值 应用范围:放大

NXP BCX55 晶体管NPN SOT-89

封装形式:贴片型 型号/规格:BCX55 材料:硅(SI) 品牌/商标:NXP/恩智浦 属性:属性值 应用范围:功率

INFINEON 晶体管 TRANSISTOR PNP AF 45V BCW68H E6327

封装形式:SOT23 型号/规格:BCW68H E6327 品牌/商标:INFINEON/英飞凌 属性:属性值 应用范围:达林顿

晶体管(BJT) 单路

是否提供加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:BUV48A 应用范围:功率 材料:锗(Ge) 极性:NPN型 击穿电压VCEO:450(V) 集电极最大允许电流ICM:15(A) 集电极最大耗散功率PCM:125(W) 结构:点接触型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

供应意法St BU941P达林顿晶体管

产品品牌:意法St 产品型号:BU941P 极性:NPN型 封装形式:塑料封装 材料:锗 产品性质:热销 功率特性:大功率 营销方式:代理 频率特性:低频 结构:点接触型 封装材料:塑料封装

SEMTECH NPN 小信号晶体管 (BJT) 50V 150mA 2SC1815-G

加工定制:是 品牌/商标:SEMTECH/先科 型号/规格:2SC1815 2SC1815-G 2SC1815-Y 应用范围:达林顿

双极功率晶体管

加工定制:否 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:TTA1943 TTC5200 应用范围:功率

WS 稳压管 79L05ACZ

加工定制:否 品牌/商标:WS 型号/规格:79L05ACZ 应用范围:放大 材料:硅(Si) 极性:NPN型 击穿电压VCEO:5(V) 集电极最大允许电流ICM:1.7(A)

东芝对管 TRANS PNP -230V -15A TO-3PL 2SA1943/2SC5200

加工定制:否 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 型号/规格:2SA1943 应用范围:功率 击穿电压VCEO:230(V) 集电极最大允许电流ICM:15(A) 集电极最大耗散功率PCM:150(W) 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

射频双极电源晶体管 MRF422 高频管

加工定制:否 品牌/商标:M/A-COM 型号/规格:MRF422 应用范围:微波 材料:锗(Ge) 击穿电压VCEO:40(V) 集电极最大允许电流ICM:30(A) 集电极最大耗散功率PCM:290(W) 截止频率fT:30(MHz) 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装

L7806CV 芯片 稳压器 +6.0V 正极电压调节器

加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:L7806CV 应用范围:功率 材料:硅(Si) 极性:PNP型 击穿电压VCEO:6(V) 集电极最大允许电流ICM:1。5(A) 结构:点接触型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

SEMELAB D1013UK 场效应管 MOSFET 射频 N沟道 单端

加工定制:否 品牌/商标:SEMELAB 型号/规格:D1013UK 应用范围:微波 材料:硅(Si) 击穿电压VCEO:28(V) 集电极最大耗散功率PCM:20(W) 截止频率fT:500(MHz) 结构:平面型 封装形式:贴片型 封装材料:金属封装

MACOM 射频微波管 高频管 MRF426

加工定制:否 品牌/商标:M/A-COM 型号/规格:MRF426 应用范围:功率

IGBT 晶体管 45A 600V Ultra Fast IGBT STGW45HF60WDI

加工定制:否 品牌/商标:ST/意法 型号/规格:STGW45HF60WDI 应用范围:放大 击穿电压VCEO:600(V) 集电极最大允许电流ICM:70(A) 集电极最大耗散功率PCM:250(W) 结构:点接触型 封装形式:直插型 封装材料:塑料封装

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